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机译:评估高k电介质的非易失性存储器:超过32 nm的闪存
Chun Zhao; Ce Zhou Zhao; Stephen Taylor; Paul R. Chalker;
机译:高k电介质的非易失性存储器述评:闪存可产生超过32 nm的光
机译:作为新型非易失性存储器的高k电介质中嵌入的金纳米团簇的存储特性的生长环境
机译:用于非易失性存储器应用的高k类MNOS堆叠电介质
机译:使用高k介电层降低非易失性闪存的编程电压
机译:用于非易失性存储器应用的高k电介质和金属栅电极的研究。
机译:作为新型非易失性存储器的高k介质中嵌入的AU纳米簇的存储特性的增长环境
机译:以高k电介质为极间介质的电介质制造闪存的方法
机译:以高k介电质为极间介电质制造闪存的方法
机译:采用高k栅极电介质和金属栅极的非易失性存储结构
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